Kisi CVD tal-Karbur tas-Silikon (SiC).

Il-kisi tas-SiC tas-CVD huwa bażikament saff tal-karbur tas-silikon depożitat fuq il-grafita, u jintuża ħafna f'għodod tal-epitassija fejn kemm it-temperatura kif ukoll l-indafa huma importanti. Fil-linji ta' produzzjoni reali, spiss tarah f'sistemi minn AIXTRON, ASM/LPE, Veeco, kif ukoll xi pjattaformi relatati mal-AMAT. Dak li jagħmilha utli mhux biss ir-reżistenza għat-temperatura, iżda l-istabbiltà ġenerali matul ġirjiet twal. Taħt kundizzjonijiet tipiċi ta' epitassija — idroġenu, ammonja, jew saħansitra gassijiet klorinati — il-kisi jibqa' relattivament stabbli u jipproteġi l-grafita ta' taħtu. Dan jgħin biex iżomm il-kamp termali aktar konsistenti u jnaqqas iċ-ċans li jidhru partiċelli waqt it-tkabbir.

Ħafna drabi, il-kisi jiġi applikat għal partijiet bħal susċetturi, trasportaturi tal-wejfers, ċrieki tal-grafita, jew komponenti ta' nofs qamar. Dawn kollha huma involuti direttament fit-tisħin jew il-pożizzjonament tal-wejfers, għalhekk kwalunkwe instabbiltà żgħira tista' taffettwa r-rendiment. Għal dik ir-raġuni, il-partijiet miksija ħafna drabi jiġu ttrattati bħala konsumabbli li xorta jeħtieġ li jkunu affidabbli fuq ċikli multipli, speċjalment fil-produzzjoni ta' 4 sa 12-il pulzier.