EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Feltru riġidu tal-grafita ta 'purità għolja
Dettall Quick:
1. Ismijiet oħra: feltru tal-insulazzjoni tal-grafita flessibbli, feltru artab tal-kamp termali tas-semikondutturi, feltru tal-grafita.
2. Applikazzjoni: Insulazzjoni termali tal-kamp ta' semikondutturi, tagħmir fotovoltajku, forn tat-tkessiħ tal-gass bi pressjoni għolja bil-vakwu, forn tas-silikon monocstallin u insulazzjoni oħra ta' tagħmir b'temperatura għolja.
3. Parametri ewlenin: purità ≥99.99%, temperatura massima ta' tolleranza 3000℃, konduttività termali 0.15-0.24W/m·K.
deskrizzjoni
Feltru riġidu tal-grafita ta' purità għolja, il-materjal ewlieni tal-kamp termali għat-tielet ġenerazzjoni ta' semikondutturi u manifattura fotovoltajka avvanzata, huwa prodott strateġiku żviluppat minn Semixlab ibbażat fuq aktar minn 20 sena ta' esperjenza fir-riċerka u l-iżvilupp ta' materjali bbażati fuq il-karbonju. Permezz ta' teknoloġija ta' rinfurzar rivoluzzjonarja u proċess ta' grafitizzazzjoni b'gradjent ta' temperatura ultra-għolja, il-materjal jikseb riġidità strutturali u stabbiltà ambjentali li l-materjali tradizzjonali tal-feltru artab ma jistgħux jiksbu filwaqt li jżommu l-proprjetajiet termali intrinsiċi eċċellenti tal-grafita. Il-proċess tal-manifattura jibda b'materja prima avvanzata internazzjonali, wara pre-karbonizzazzjoni ta' 1200℃ biex tifforma struttura ta' saff diżordinat, ir-reżina fenolika b'irmied baxx żviluppata waħedha tiġi mimlija, u l-partijiet iffurmati b'mod kumpless huma ppreparati b'teknoloġija ta' ppressar iżostatiku ta' 80MPa. F'atmosfera protetta bl-argon, il-ġisem jgħaddi minn 72 siegħa ta' grafitizzazzjoni b'gradjent f'2800℃, li tippromwovi r-riarranġament tal-atomi tal-karbonju biex tifforma struttura kristallina ordnata ħafna, u fl-aħħar tikseb l-eżattezza dimensjonali ta' ±0.05mm permezz taċ-ċentru tal-magni CNC b'ħames assi. Kisi ta' gradjent SiC bi ħxuna ta' 50-200μm jista' jiġi prodott permezz ta' depożizzjoni kimika tal-fwar (CVD) biex tittejjeb ir-reżistenza għall-ossidazzjoni.
Feltru riġidu tal-grafita ta' purità għolja juri prestazzjoni komprensiva eċċellenti f'ambjent termali estrem: il-kontenut tal-karbonju tiegħu huwa ≥99.99% u l-valur tal-irmied huwa kkontrollat strettament fi ħdan 65ppm, u jissodisfa r-rekwiżiti tal-indafa tal-grad tas-semikondutturi; Anke fit-temperatura għolja ta' 2000℃, xorta jżomm kapaċità ta' ġarr ta' ≥3MPa, u jegħleb b'suċċess il-problema tal-industrija li l-materjali tal-feltru artab huma faċli biex jiddeformaw u jikkollassaw taħt kundizzjonijiet ta' temperatura għolja. Jikseb preċiżjoni fil-kontroll tat-temperatura fil-forn tat-tkabbir ta' kristall wieħed SiC, li hija 40% ogħla mill-medja tal-industrija, u jnaqqas b'mod effettiv id-densità tad-dislokazzjoni ta' kristall wieħed taħt il-500cm⁻². Wara 100 ċiklu ta' tifi u tisħin minn 2000℃ sat-temperatura tal-kamra, ir-rata ta' jinxtorob tal-linja tal-materjal hija dejjem inqas minn 0.5%, li turi li l-istabbiltà dimensjonali tal-feltru tal-karbonju tradizzjonali hija aktar minn 3 darbiet.
Fil-qasam tal-manifattura tas-semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni, il-prodott sar il-komponent ewlieni tal-forn tat-tkabbir tal-kristall SiC bit-trasferiment tal-fwar fiżiku (PVT), l-istruttura msaħħa tiegħu tista' tiflaħ temperatura għolja lokali ta' 3000 ℃ mingħajr creep strutturali, u b'kisja komposta speċjali SIC-Si, it-temperatura tar-reżistenza għall-ossidazzjoni tista' titla' għal 1800 ℃. Il-grad tal-vakwu tal-forn b'kristall wieħed huwa stabbli f'5 × 10-3Pa għal żmien twil.
speċifikazzjonijiet
Dejta Teknika_Karbonju/Kompost tal-Karbonju:
| Dejta Teknika - Karbonju/Kompost tal-Karbonju | ||
| indiċi | Unità | valur |
| densità tal-massa | g / ċm3 | 1.50 |
| Kontenut tal-karbonju | % | ≥98.5 ~ 99.9 |
| Irmied | PPM | ≤ 65 |
| Konduttività termali (1150℃) | W/m·k | 10 ~ 30 |
| Saħħa tensili | MPa | 90 ~ 130 |
| Qawwa flesswali | MPa | 100 ~ 150 |
| Saħħa kompressiva | MPa | 130 ~ 170 |
| Qawwa tal-qoxra | MPa | 50 ~ 60 |
| Saħħa ta' shear interlaminari | MPa | ≥13 |
| Reżistività elettrika | Ω.mm2/m | 30 ~ 43 |
| Koeffiċjent ta 'Espansjoni Termali | 106/K | 0.3 ~ 1.2 |
| Temperatura tal-ipproċessar | ℃ | ≥2400 ℃ |
| Kwalità militari, depożizzjoni sħiħa fil-forn tad-depożizzjoni tal-fwar kimiku, fibra tal-karbonju Toray T700 importata minsuġa minn qabel b'labra 2.5D, speċifikazzjonijiet tal-materjal: dijametru massimu ta' barra 2000mm, ħxuna tal-ħajt 8-25mm, għoli 1600mm | ||
applikazzjonijiet
1. Forn tat-tkabbir ta' kristall wieħed SiC (metodu PVT)
Bħala s-saff ewlieni tal-insulazzjoni tas-sħana tal-komponenti kollha tal-griġjol tal-grafita, il-preċiżjoni tal-kontroll tal-gradjent tat-temperatura assjali hija ±0.3℃/mm; Il-vakwu tal-kamra tat-tkabbir jinżamm <5×10-3Pa; Id-densità tad-dislokazzjoni ta' kristall wieħed titnaqqas għal <500/cm².
2. Forn tal-ingotti polikristallini fotovoltajċi
Il-modulu ta' insulazzjoni tal-kamp termali ta' fuq inaqqas il-konsum tal-enerġija b'35% (meta mqabbel mas-soluzzjonijiet tradizzjonali tal-feltru tal-karbonju).
3. Tagħmir ta' epitassija semikonduttur tat-tielet ġenerazzjoni
Integrat mal-kamra tar-reazzjoni MOCVD biex tinkiseb uniformità tat-temperatura fil-livell tal-wejfer ta' ±1℃.
Appoġġ għall-produzzjoni tal-massa ta' folji epitassjali GaN-on-SiC ta' 8 pulzieri.
Vantaġġ Kompetittiv
Saħħa tal-flessjoni f'temperatura għolja: ogħla mil-livell tal-industrija, sa 150MPa.
Ċikli termali: sa 1000 darba, ħafna ogħla mill-medja tal-industrija.
Appoġġ għal servizzi kompletament personalizzati: mill-materjal sal-forma, personalizzabbli ħafna.
